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氮化硅（Si3N4）反应离子刻蚀原理 反应离子刻蚀是由化学和物理相结合的方法，在真空中利用气体91香蕉视频IOS下载进行刻蚀，通常采用氟基气体作为反应气体对氮化硅薄膜进行反应离子刻蚀，反应生成挥发性气体被真空系统抽离，实现刻蚀的目的。

Nov. 12, 2024

91香蕉视频IOS下载清洗在航空电子产品PCB三防涂覆前的应用 91香蕉视频IOS下载清洗可以有效增大PCB板界面参数中的表面张力,即91香蕉视频IOS下载清洗可以有效改善其表面张力,实现清洁、活化PCB板的表面,从而有效地提升三防漆在PCB板表面的润湿能力。

Nov. 11, 2024

树脂镜片镀膜前91香蕉视频IOS下载清洗作用 在树脂镜片镀膜前对基底表面采用91香蕉视频IOS下载清洗能够去除基底表面的污染层,活化基底表面分子并造成原子量级的凹凸不平,从而增加薄膜的附着力，改善成膜质量。

Nov. 08, 2024

硅橡胶91香蕉视频IOS下载体处理对其亲水粘接性能的影响 硅橡胶它的分子结构极性很低,材料的表面活性也很低,与很多的材料在不经任何处理的情况下,都很难做到粘结，通过91香蕉视频IOS下载体处理可以使使硅橡胶表面引入极性硅醇(Si-OH)基团提高亲水性，从而改善硅橡胶表面的粘接性。

Nov. 06, 2024

二氧化硅反应离子刻蚀原理 反应离子刻蚀SiO2的反应气体主要为含氟基或氯基气体;前者如CF4、CHF3、SF6、NF3等,后者如BCl3、Cl2等。反应离子刻蚀SiO2时,在辉光放电中分解出的氟原子或氯原子,与SiO2表面原子反应生成气态产物,达到刻蚀的目的。

Nov. 06, 2024

硅（si）的rie反应离子刻蚀原理 反应离子刻蚀硅通常使用带氟或者带氯的活性基团的气体,如SF6、CHF3、CF4等，刻蚀气体在高频电场的作用下,使气体辉光放电产生91香蕉视频IOS下载体,对被刻蚀物进行离子轰击和化学反应，生成SiF4的挥发性气体,从而实现对硅的反应离子刻蚀。

Nov. 05, 2024